LVDT位移傳感器采用差動變壓器式結構，兩個次級線圈采用反向串聯(lián)的方式連接，輸出與鐵芯位移量存在一定線性關系的電壓值。當在初級線圈繞組加上適當?shù)募铍妷?，移動鐵芯位置會在兩個次級線圈繞組中相應地產(chǎn)生感應電動勢。不過在LVDT位移傳感器的使用中，有時會出現(xiàn)零殘電壓的情況，那么LVDT位移傳感器產(chǎn)生零殘電壓是什么原因呢？

LVDT位移傳感器產(chǎn)生零殘電壓是什么原因？

LVDT位移傳感器產(chǎn)生零殘電壓的主要原因有：

由于兩個次級繞組線圈的幾何尺寸和電氣參數(shù)不對稱，氣隙不均勻，致使產(chǎn)生的感應電動勢幅值不相等，相位不同。

由于磁性材料的磁化曲線具有非線性，磁路也具有不對稱性(這也是LVDT位移傳感器可能輸出高次諧波的主要原因)。

零殘電壓對LVDT位移傳感器的影響主要有：

傳感器輸出特性在零點位置附近不靈敏，限制了位移傳感器分辨率的提高;

如果傳感器零殘電壓太大，會大幅影響位移傳感器的線性精度，也會使傳感器的靈敏度大幅下降。

為了減小LVDT位移傳感器的零殘電壓，線圈繞制過程中藥盡量保證初級線圈與次級線圈結構的均勻與對稱;次級線圈磁路的對稱;鐵芯選材應確保材質(zhì)均勻，經(jīng)熱處理改善型材的機械性能和磁性;設計有效的電路補償。補償電路形式很多，常見的有：電阻串聯(lián)，電阻并聯(lián)，電容并聯(lián)，外加反饋繞組或反饋電容等，是一種簡單有效的方法。